耐磨復合板的熱處理工藝對組織結構影響：隨著超大規模集成電路的特征線寬不斷減小,導致信號傳輸延時、功耗增大以及互連阻容耦合增大等問題,為了處理這一問題,多孔低(超低)k介電材料越來越引起人們的留意。通過在前驅氣體D5源中增加甲烷,由ECRCVD堆積技術制備出了SiCOH薄膜,因為在SiCOH低k薄膜的致孔工藝及后道工藝中,薄膜需要飽嘗400～450℃的熱沖擊,因此首先對不同甲烷流量下真空退火前后薄膜的結構、外表描摹和濕水性進行了研討。在真空熱處理過程中,熱穩定性較差的碳氫基團產生了熱解吸,使Si-O-Si網絡結構以及鏈式結構產生交聯而構成鼠籠結構,然后提高了薄膜中孔隙的含量,并使薄膜外表更平整。但是,因為碳氫基團的熱解吸以及結構的重組降低了薄膜的厚度,并且熱解吸還導致薄膜的疏水功能降低。其次真空熱處理降低了薄膜的漏電流,并且使SiCOH/Si界面的界面態產生改變